MOS à canal N
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Définition :
Transistor MOS réalisé dans un substrat du type P, avec deux régions diffusées N qui sont le drain et la source. Si l'on applique une tension positive à l'électrode de commande, on détermine la naissance d'un canal N dans le silicium sous-jacent, d'où le nom de ce transistor, souvent abrégé en : NMOS ou N-MOS. Un chemin continu N, passant par la source, le canal et le drain, est ainsi offert au courant. Le canal étant négatif, les porteurs de charge sont des électrons; or, ceux-ci sont de deux à trois fois plus rapides que les trous, du canal des PMOS, ce qui explique que ce transistor fonctionne à des fréquences plus élevées que le PMOS. D'autre part, sa densité d'intégration est supérieure à celle des PMOS et ses dimensions étant réduites, les éléments parasites l'affectent moins. Enfin, la tension de seuil (qui débloque le MOS) est, elle aussi, plus faible, ce qui rend les NMOS compatibles avec la famille TTL.
Terme :
- MOS à canal N n.
Traductions
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anglais
Auteur : Lilen, Henri,Termes :
- n-channel MOS
- NMOS