arséniure d'aluminium et de gallium
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Définition :
Composé III-V ternaire, résultant de la combinaison de l'arsenic, du gallium et de l'aluminium, utilisé comme semi-conducteur dans la fabrication de composants optoélectroniques.
Termes privilégiés :
- arséniure d'aluminium et de gallium n. m.
- GaAlAs
- arséniure de gallium-aluminium n. m.
- arséniure de gallium aluminium n. m.
- arséniure de gallium et d'aluminium n. m.
- arséniure d'aluminium gallium n. m.
- AlGaAs
Traductions
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anglais
Auteur : Office québécois de la langue française,Note :
((It)) is grown in layer form atop GaAs substrates to provide optical and carrier confinement in double- and single-heterostructure diode lasers for the 0.7-0.9 μm wavelength region.
Termes :
- gallium aluminum arsenide
- GaAlAs
- aluminum gallium arsenide
[GaAlAs] Symbole chimique de « gallium aluminium arsenide ».