silicium sur isolant totalement appauvri
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Définition :
Technique de silicium sur isolant dans laquelle la mince tranche de silicium où sont gravés des transistors ou d'autres composants est complètement exempte de porteurs de charge libres, de sorte qu'elle est entièrement à l'abri de perturbations électriques.
Termes privilégiés :
- silicium sur isolant totalement appauvri n. m.
- silicium sur isolant totalement déserté n. m.
- silicium sur isolant à déplétion totale n. m.
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Le terme silicium sur isolant totalement déserté a été proposé par l'Office québécois de la langue française en 2012 pour désigner ce concept.
Traductions
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anglais
Auteur : Office québécois de la langue française,Termes :
- fully-depleted silicon-on-insulator
- FDSOI
- fully-depleted SOI