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méthode modifiée de dépôt chimique en phase vapeur

Domaine
  1. électroniquefibre optique
Auteur
Office québécois de la langue française
Dernière mise à jour
2001
  • Accéder à la fiche en anglais : modified chemical vapor deposition process

Définition :

Méthode de dépôt interne en phase vapeur qui consiste à déplacer le chalumeau le long du tube de silice et à former ainsi un dépôt de couche de silice dopée chaque fois que le chalumeau est ramené au point de départ.

Termes privilégiés :

méthode modifiée de dépôt chimique en phase vapeur n. f.
procédé de dépôt intérieur modifié n. m.
méthode modifiée de déposition intérieure n. f.
procédé en phase vapeur modifié n. m.
procédé intérieur modifié n. m.
déposition en phase vapeur modifiée n. f.
méthode MCVD n. f.
procédé M. C. V. D. n. m.
méthode CVD modifiée n. f.

CVD et MCVD sont les sigles des termes anglais chemical vapor deposition et modified chemical vapor deposition.

Traductions

  • anglais

    Auteur : Office québécois de la langue française, 2001

    Termes :

    1. modified chemical vapor deposition process
    2. modified chemical vapour deposition process Royaume-Uni
    3. MCVD process
    4. modified CVD method
    5. modified inside vapor phase oxidation process
    6. MCVD method

    Termes associés :

    1. modified chemical vapor deposition
    2. MCVD
    3. modified chemical vapour deposition
    4. modified inside vapour phase oxidation Royaume-Uni
    5. MIVPO

    Modified chemical vapor deposition, modified chemical vapour deposition et modified inside vapour phase oxidation sont des termes moins précis.

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