implantation ionique
- Domaine
-
- électroniquetechnologie de la fabrication des circuits intégrés
- Dernière mise à jour
Définition :
Procédé consistant à implanter des atomes étrangers dans un matériau (un support semi-conducteur dans le cas des circuits intégrés), à une profondeur de quelques dixièmes de nanomètres à quelques micromètres, au moyen d'un faisceau d'ions (produit par un accélérateur de particules) des atomes choisis.
Notes :
Application : L'implantation ionique est utilisée en électronique pour doper les semi-conducteurs. Dans la fabrication des tranches de silicium destinées à recevoir des microcircuits, on implante des atomes d'oxygène pour former une couche isolante au cœur de la matière. En métallurgie, l'implantation ionique d'atomes d'azote est utilisée pour le durcissement superficiel de métaux comme le titane.
Les ions des impuretés utiles sont accélérés sous 50 et 150 keV et projetés sur la cible du semi-conducteur, généralement du silicium. La dispersion est très faible; le courant d'ions indique la quantité d'impuretés utilisées et la tension d'accélération définit la profondeur de pénétration dans le réseau cristallin; de ce fait, toute l'opération de dopage est parfaitement maîtrisée, ce qui n'est pas le cas avec la diffusion gazeuse. Il en résulte des composants de qualités meilleures et bien centrées, de plus faibles dimensions; c'est en particulier avec cette technique que l'on fabrique des étages MOS avec charges à déplétion pour des inverseurs à enrichissement; grâce à elle, on ajuste avec rigueur la tension de seuil de ces transistors. S'appliquant aux débuts en complément de la diffusion gazeuse, l'implantation ionique pourrait supplanter totalement cette dernière à l'avenir.
Termes privilégiés :
- implantation ionique n. f.
- I2
- II
Traductions
-
anglais
Auteur : Office québécois de la langue française,Notes :
Refers to a process that can be used with all variations.
It allows accurate control of dopants or impurities introduced into the silicon-in essence, a costlier, most controllable alternative to thermal diffusion. The process can selectively change the threshold voltage of MOS transistors to produce devices with no overlap capacitance. Although it has not yet demonstrated significant advantage in memories, I² is a potentially valuable processing tool, and may eventually be used to varying degree in all complex integrated circuits.Termes :
- ion implantation
- I2
- II