suscepteur
- Domaine
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- électronique
Note :
Épitaxie en phase gazeuse. C'est un procédé surtout utilisé en technologie silicium. Les wafers sont placés sur un suscepteur en graphite recouvert d'une couche de SiC (carbure de silicium, non réactif), chauffés à 1000 - 1200 degrés C et balayés par des gaz de réaction. Le tout s'effectue dans une enceinte préalablement nettoyée par le vide.
Terme :
- suscepteur n. m.
Traductions
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anglais
Auteur : IBMOT : banque de données terminologiques,Note :
All epitaxial films were grown in a vertical, pancake type reactor with a silicon-carbide coated graphite susceptor under constant hydrogen carrier gas flow. The susceptor was always etched in HCl and coated with a layer of undoped silicon before loading the wafers for epitaxial growth.
Terme :
- susceptor