oxydation sèche
- Domaine
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- électronique
Définition :
L'oxydation sèche utilise l'oxygène gazeux exempt d'humidité et nécessite des températures plus élevées (1000 à 1200 degrés C) pour obtenir des vitesses de croissance exploitables. Elle conduit à des oxydes de qualité électrique optimale, mais doit être réservée à des couches relativement minces (0,05 à 0,3 micron environ).
Note :
Antonyme : oxydation humide.
Terme :
- oxydation sèche n. f.
Traductions
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anglais
Auteur : IBMOT : banque de données terminologiques,Notes :
Oxidation of silicon is achieved by heating silicon wafers in an oxidizing atmosphere such as oxygen or water vapor. The two common approaches are. Dry oxidation : when the oxidizing atmosphere is pure oxygen. Temperatures are in the region of 1200 degrees C, to achieve an acceptable growth rate.
Antonyme wet oxidation.Terme :
- dry oxidation